Eeprom Arabirimler

Arabirimler
EEPROM cihazlarının bir çok elektriksel arabirimi vardırBunlardan en genel olanları

Seri veriyolu
Paralel veriyolu

Seri Veriyolu Aygıtı
En genel seri veriyolu arayüzleri; SPI (çevresel arabirim yolu), I2C (gömülü entegre devreleri), ve 1-wire (tek kablo) olarak belirtilebilir
Seri EEPROMlar üç evrede çalışırlarBunlar ;

Op-code evresi
Adres evresi
Veri evresi

Her EEPROM fonksiyonlarını gerçekleştirmek için kendine ait Op-code komut kümesine sahiptirÖrneğin SPI EEPROM'da gerçekleşen bazı işlemler şöyledir:

Write Enable (yazma aktif)
Write Disable (yazma inaktif)
Read Status Register (okuma durum yazmacı)
Write Status Register (yazma durum yazmacı)
Read Data (veri okuma)
Write Data (veri yazma)

EEPROM tarafından desteklenen diğer işlemler ise

program,
sektör silme,
yonga silme komutları olarak ifade edilebilir

İşlemin son aşaması genelde veri aşamasıdırWrite (yazma) işlemi gerçekleştiği takdirde, yonga secenegi, "low" olana kadar denetleyici veriyi beslemek zorundadır Read (okuma) işlemi gerçekleştiğinde ise yonga seçeneği, "low" olana kadar veriyi her saat vuruşunda denetlemek zorundadır
Paralel Veriyolu Aygıtı
Paralel veriyolu aygıtları 8-bitlik bir veriyolu ve bellegi kapsayacak genişlikte bir adres yoluna sahiptirBirçok aygıt; yonga seçme pini ve yazma koruma pinine sahiptirBazı mikrodenetleyiciler ise tümleşik paralel EEPROMlara sahiptir
Flash Bellek
EEPROM'un özel bir uygulaması Flash bellek'dir Aralarındaki en önemli fark ise EEPROM'a bilgilerin byte byte yazılması flash belleğe ise bilgilerin sabit bloklar halinde yazılmasıdır Bu sabit bloklar 512 bytedan 256 KB'a kadar olan bir aralıkta değişir Bu sabit bloklar halinde yazılma özelliği flash bellek'i EEPROM'a göre daha hızlı yapmıştır
EEPROM ile EPROM'un karşılaştırılması
EPROM iki adet kısıtlamaya sahiptir;

silinmesi için devreden çıkarılarak ultraviyole ışınlarına maruz bırakılmak zorundadır
programlamak için genelde yüksek voltajlara ihtiyaç vardır
EEPROMlar elektriksel olarak programlanıp silinebilir

İki salt-okunur bellek arasındaki fark; yalıtkan maddenin kalınlığıdırBu kalınlık EPROM'da 3 nanometre civarındayken EEPROM'da bu değer daha küçüktür (yaklaşık 1nanometre)Bu tabakanın ince olması belleğin programlanması için gereken voltajın miktarını azaltır

Kaynak : Wikipedia