Eeprom Arabirimler
 

Arabirimler
EEPROM cihazlarının bir çok elektriksel arabirimi vardır.Bunlardan en genel olanları

Seri veriyolu
Paralel veriyolu

Seri Veriyolu Aygıtı
En genel seri veriyolu arayüzleri; SPI (çevresel arabirim yolu), I2C (gömülü entegre devreleri), ve 1-wire (tek kablo) olarak belirtilebilir.
Seri EEPROMlar üç evrede çalışırlar.Bunlar ;

Op-code evresi
Adres evresi
Veri evresi

Her EEPROM fonksiyonlarını gerçekleştirmek için kendine ait Op-code komut kümesine sahiptir.Örneğin SPI EEPROM'da gerçekleşen bazı işlemler şöyledir:

Write Enable (yazma aktif)
Write Disable (yazma inaktif)
Read Status Register (okuma durum yazmacı)
Write Status Register (yazma durum yazmacı)
Read Data (veri okuma)
Write Data (veri yazma)

EEPROM tarafından desteklenen diğer işlemler ise

program,
sektör silme,
yonga silme komutları olarak ifade edilebilir.

İşlemin son aşaması genelde veri aşamasıdır.Write (yazma) işlemi gerçekleştiği takdirde, yonga secenegi, "low" olana kadar denetleyici veriyi beslemek zorundadır. Read (okuma) işlemi gerçekleştiğinde ise yonga seçeneği, "low" olana kadar veriyi her saat vuruşunda denetlemek zorundadır.
Paralel Veriyolu Aygıtı
Paralel veriyolu aygıtları 8-bitlik bir veriyolu ve bellegi kapsayacak genişlikte bir adres yoluna sahiptir.Birçok aygıt; yonga seçme pini ve yazma koruma pinine sahiptir.Bazı mikrodenetleyiciler ise tümleşik paralel EEPROMlara sahiptir.
Flash Bellek
EEPROM'un özel bir uygulaması Flash bellek'dir. Aralarındaki en önemli fark ise EEPROM'a bilgilerin byte byte yazılması flash belleğe ise bilgilerin sabit bloklar halinde yazılmasıdır. Bu sabit bloklar 512 bytedan 256 KB'a kadar olan bir aralıkta değişir. Bu sabit bloklar halinde yazılma özelliği flash bellek'i EEPROM'a göre daha hızlı yapmıştır.
EEPROM ile EPROM'un karşılaştırılması
EPROM iki adet kısıtlamaya sahiptir;

silinmesi için devreden çıkarılarak ultraviyole ışınlarına maruz bırakılmak zorundadır.
programlamak için genelde yüksek voltajlara ihtiyaç vardır.
EEPROMlar elektriksel olarak programlanıp silinebilir.

İki salt-okunur bellek arasındaki fark; yalıtkan maddenin kalınlığıdır.Bu kalınlık EPROM'da 3 nanometre civarındayken EEPROM'da bu değer daha küçüktür (yaklaşık 1nanometre).Bu tabakanın ince olması belleğin programlanması için gereken voltajın miktarını azaltır.

Kaynak : Wikipedia